Tauc プロット - 光学バンドギャップの決定

このページは、クイーンズ大学 応用持続可能性研究グループによって開発されました。

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Tauc プロットは、半導体の光学バンドギャップを決定する 1 つの方法です。吸収係数と光子エネルギーの積の平方根 -(aE)^0.5 - が光子エネルギーに対してプロットされています。曲線には直線の部分が必要です。x 軸に延長すると、この線の x 切片が光学バンド ギャップになります。

出典: https://ascg.msm.cam.ac.uk/characterisation/uvvis.php

ページデータ

ライセンス	CC-BY-SA-3.0
言語	英語(en)
翻訳	日本語、中国語、ロシア語、フランス語、ポルトガル語、韓国語、ベトナム語、トルコ語、スペイン語
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インパクト	29,357 ページビュー
提案	このページを展開します
作成した	2010 年4 月 27 日、ダーク・マクラフリン著
修正済み	2023 年2 月 6 日、フェリペ・シェノーネ
として引用	「Tauc プロット - 光学バンドギャップの決定」。アペディア。2010 ～ 2023 年。2024 年 1 月 19 日に取得。
APIクエリ	基本、セマンティック、html、ファイル、その他