Jump to content

Direct Laser Writer for Maskless Lithography System/ru

From Appropedia

Обзор литературы: Прямой лазерный пишущий аппарат для

Фоновое

Поиски

  • Поиск в Google по запросу «Литография без маски»
  • Википедия

Прямой лазерный генератор масок / Безмасочная литография

Википедия: [1]

  • Безмасочная литография использует методы прямого переноса информации на подложку без использования промежуточной статической маски, то есть фотошаблона, который копируется напрямую. В микролитографии, как правило, радиационный перенос подразумевает перенос изображения с маски, постоянной во времени, на светочувствительную эмульсию (или фоторезист).
  • Концепция использует преимущества высокоскоростных или параллельных технологий обработки, которые стали возможны благодаря большой и дешевой доступной вычислительной мощности, что не является проблемой при стандартном подходе, который разделяет медленный, но точный процесс структурирования для записи маски от быстрого и высокопараллельного процесса копирования для достижения высокой производительности репликации, которая требуется в промышленной микроструктуризации.

Обзор рынка

  • Традиционная фотолитография требует изготовления или приобретения фотошаблона и использования шагового двигателя или выравнивателя масок для переноса CAD-шаблона на покрытую резистом пластину или пластину. На данный момент хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления фотошаблонов является единственно возможным способом крупносерийного производства деталей субмикронного размера.
  • Другой доступный метод фотолитографии, представляющий собой идеальный инструмент для множества других применений: безмасочная фотолитография . При безмасочной фотолитографии шаблон экспонируется непосредственно на поверхность подложки с помощью пространственного модулятора света (SLM), который, по сути, служит программируемой маской. Система берёт файл дизайна и просто «записывает» шаблон на подложку, покрытую резистом.
  • Процесс прямой записи позволяет вам пропустить весь трудоемкий и дорогостоящий процесс создания фотошаблона и все, что с ним связано: вместо этого вы можете перепроектировать свой чертеж САПР (снова и снова, если необходимо) и немедленно повторно экспонировать шаблон.

Ссылка  :

Список литературы

лазерная запись микроструктур для

Мохаммед Зиауддин; Абдель-Хамид И. Мурад; Сауд А. Хашан

  • В данном исследовании принимаются экономически эффективные меры при выборе каждого компонента при построении системы.
  • Основными компонентами, на которые приходится большая часть стоимости, являются линейный столик XY, программное обеспечение, шаговые двигатели и драйверы, а также источник питания.
  • В данном исследовании разработана система безмасочной литографии на основе пишущего инструмента с УФ-лазером и одновременно перемещающегося линейного столика XY.

Программируемая маска для прямой записи литографией

Кунал Фарас 1979-Университет Луисвилля

  • Целью данного проекта является разработка и изготовление программируемой маски для системы литографии прямой записи, которая в будущем сможет обеспечить более высокую производительность при разумных затратах для полупроводниковой промышленности.
  • Устройство имеет отверстия разных размеров, которые можно использовать в качестве программируемых масок, открывая и закрывая над ними заслонки.
  • Оптическое изображение проявленного фоторезиста, экспонированного через отверстия, практически идентично измерению размера элементов и ширины линий экспонированного образца.

Методы лазерной записи для изготовления фотошаблонов с использованием фемтосекундного лазера

К. Венкатакришнан, БКА Нгои, П. Стэнли, ЛЕН Лим, Б. Тан и Н. Р. Сивакумар

  • В настоящее время их изготавливают методом литографии, который очень дорог и длителен, поскольку является многоэтапным. Эти проблемы можно решить, изготавливая фотошаблоны методом прямой записи фемтосекундным лазером, что является одноэтапным процессом, сравнительно дешевле и быстрее литографии.
  • В этой статье обсуждаются наши исследования влияния двух типов технологий лазерной записи, а именно лазерной записи на передней и задней стороне, на размер элемента и качество его кромки.

Расширение масочной литографии с помощью прямой лазерной записи для повышения разрешения и скорости.

МАЙЛЗ П. ЛИМ, СЯОФЭЙ ГО, ЭВА Л. ГРЮНБЛАТТ, ГАРРЕТ М. КЛИФТОН, АЙДА Н. ГОНСАЛЕС И КРИСТОФЕР Н. ЛАФРАТТА

  • Описан новый метод гибридной фотолитографии — лазерное микролитографическое моделирование (LAMP), в котором для задания дополнительных характеристик используется прямая лазерная запись по сравнению с теми, которые создаются с помощью недорогой прозрачной маски.
  • Такое сочетание прямой лазерной записи и традиционной УФ-литографии компенсирует недостатки каждого метода и позволяет быстро создавать, тестировать и модифицировать прототипы высокого разрешения.

Новое поколение безмасочной литографии

Штеффен Диц, Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия)

  • Основная цель быстрого прототипирования микроструктур — сокращение времени цикла. Традиционные методы, применяемые до сих пор, включают разработку дизайна в САПР, изготовление или приобретение фотошаблона и, наконец, использование выравнивателя для переноса шаблона на фоторезист.
  • Новый безмасочный выравниватель (MLA) позволяет экспонировать шаблон напрямую, без изготовления маски, что значительно сокращает цикл прототипирования. Для достижения столь короткого цикла прототипирования MLA был улучшен по многим параметрам по сравнению с другими решениями для прямой записи литографии: скорость экспонирования, пользовательский интерфейс, простота эксплуатации и гибкость.

Система безмасочной фотолитографии

Традиционный процесс фотолитографии используется для создания микрошаблонов путем экспонирования фоторезистивного материала на кремниевой пластине с помощью энергии света. Этот традиционный процесс неэффективен ни по времени, ни по стоимости. Кроме того, новые установки для быстрого прототипирования все еще дороги. Поэтому автор данной статьи разработал экономичную систему безмасочной фотолитографии для быстрого прототипирования в лабораторных условиях. Целью данного отчета является обсуждение технических требований, существующих технологий, инженерного анализа, окончательного прототипа и планов производства. В отчете также представлен план валидации, который включен в план дальнейших работ для проверки производительности системы и подтверждения соответствия всем требованиям.

Maskless Lithography

The form of lithography used in the Si semiconductor industry is optical projection lithography (OPL). In this technique, a pattern is first created on a reticle or mask at four times the desired final size, and the image of the mask is projected onto a Si wafer by a large and very expensive reduction lens. The rapid advances in the semiconductor industry have been enabled by advances in OPL technology and in the quality of the photoresist that records the projected image. Today, in semiconductor manufacturing, the operating wavelength in advanced OPL systems (so-called ‘steppers’ or ‘scanners’) is 193 nm, the throughput is 60 or more Si wafers per hour, the field size is about 20 mm × 30 mm, and the minimum feature size is ∼90 nm. To achieve such results, a variety of resolution-enhancement techniques (RETs) are employed, including phase-shift masks off-axis illumination, and optical proximity-effect correction (OPC)1, 2. In the near future, water-immersion optics will be used to further improve the resolution and depth-of-focus achievable with 193 nm OPL.

A maskless photolithographic prototyping system

Photolithography is a key step in the fabrication of the modern integrated circuit. Multiple levels of aligned photolithography, combined with thin-film deposition and etching, allow a three-dimensional circuit to be built upon a two-dimensional surface. Because it is such an important part of the semiconductor manufacturing industry, much research has been performed in this area.1,2 However, this research islargely directed toward high-volume industrial purposes rather than low-volume academic research needs. Mask costs are a serious issue even in industrial applications, and maskless lithography tools are being developed for next-generation lithography systems such as extreme ultraviolet lithography, where mask costs are expected to be a major problem.

Maskless Photolithography using UV LEDs

Ультрафиолетовый светодиод (СИД) с максимальной длиной волны 372 нм коллимировался с помощью пинхола и небольшой пластиковой трубки и фокусировался с помощью объектива микроскопа на подложку для прямого литографического нанесения рисунка на фоторезист. Перемещение подложки с помощью моторизованного линейного столика (шприцевого насоса) позволяло формировать линии в SU-8 шириной до 35 мкм с линейной скоростью 80 мкм с−1, в то время как в сухом пленочном резисте Ordyl SY 330 элементы шириной до 17 мкм формировались с линейной скоростью 245 мкм с−1. При такой линейной скорости элемент длиной 75 мм мог быть сформирован за 5 минут. Функциональные микрофлюидные устройства были изготовлены путем литья ПДМС на мастер-форму, изготовленную с помощью светодиодной литографии. Результаты показывают, что УФ-светодиоды являются подходящим источником света для прямой литографии, предлагая бюджетную и высокоразрешающую альтернативу для быстрого прототипирования элементов размером менее 20 мкм.

Устройство экспонирования без маски для создания

В данной статье представлено экономичное безмасочное экспонирующее устройство (MED) для быстрого литографического прототипирования различных макетов. Устройство собрано с использованием цифрового проектора с обработкой света (DLP), оптического микроскопа, выравнивающих столиков и веб-камеры. Макеты, созданные на компьютере, легко переносятся на подложку без дорогостоящего фотошаблона, а процесс может быть импровизирован для различных макетов. Компоненты настроены на постоянную область экспонирования, и в настоящее время возможно достижение разрешения 20 микрометров без использования редукционных линз. В данной статье в качестве подложки успешно использовались различные материалы, такие как кремний, стекло, металл и т. д.

Данные страницы
ЦУР
АвторыАман Кумар , Шубхам Синха , Пратик Коргаонкар
ЛицензияCC-BY-SA-4.0
ЯзыкАнглийский (en)
Переводыяпонский
Связанный1 подстраница , 4 страницы, ссылка здесь
Просмотры304 просмотра страниц ( аналитика )
Созданный13 октября 2020 г. , Аман Кумар
Последнее редактирование1 октября 2025 г. от 176.199.209.239
Cookies help us deliver our services. By using our services, you agree to our use of cookies.