AlxGa1-xSb III-V 삼원계 반도체 밴드 에너지 갭의 조사
연구학자라얄라시마 대학PG 물리학과,TJPS 칼리지Guntur-6 AP 인도
초록
소개
- AlxGa1-xSb III-V 3원 반도체 밴드 에너지 갭의 이 오프닝 토크에서 3원 반도체의 전기음성도 값은 기호 XM 및 XN으로 표시되고 밴드 에너지 갭은 Eg로 표시됩니다.
- Linus Pauling은 1932년에 원자가 결합 이론의 발전으로 전기 음성도를 처음 제안했으며,[2] 이는 여러 가지 다른 화학적 특성과 관련이 있는 것으로 나타났습니다.
- 성분의 상대적인 농도에 따른 삼원 화합물의 전기 음성도와 같은 물리적 특성의 지속적인 변화는 고체 상태 기술 개발에 가장 유용합니다.
- 본 연구에서는 AlxGa1-xSb III-V Ternary Semiconductor Band Energy Gap에 속하는 고용체를 조사하였다. 특정 응용 분야에 대한 이러한 고용체의 성능을 더 잘 이해하려면 이러한 재료의 전기 음성도와 같은 물리적 특성에 대한 작업이 매우 필요합니다.
- 최근에 III-V 삼원계 화합물만큼 과학적이고 상업적인 관심을 끌었던 다른 종류의 반도체 재료는 없었습니다.
- GaSb와 같은 Binary 반도체에 Al 성분을 도핑하고 do pant의 구성을 변경하면 실제로 Band Energy Gap이 낮아집니다.
- 따라서 do pant의 효과는 전도성을 증가시키고 Band Energy Gap을 감소시키며 광범위한 응용 분야를 찾습니다.
- 현재 조사는 AlxGa1-xSb III-V 삼원 반도체에 대한 구성의 변화와 함께 밴드 에너지 갭 및 전기 음성에 관한 것입니다.
- AlSb 및 GaSb 이원 반도체의 밴드 에너지 갭의 계산 및 보고 값 사이의 공정한 일치는 3원 반도체에 대한 밴드 에너지 갭의 추가 확장을 제공합니다.
- 본 연구는 AlxGa1-xSb III-V 삼원 반도체에서 대역 에너지 갭 연구에 대한 새로운 접근 방식을 엽니다.
목표
이 백서의 주요 목적은 AlxGa1-xSb III-V 삼원 반도체 대역 에너지 갭 값을 계산하는 것입니다.
목적
연구 목적은 AlxGa1-xSb III-V Ternary Semiconductor Band Energy Gap과 III-V Ternary Semiconductors의 Electro Negativity 값에서의 집중 효과가 매우 낮은 농도 범위에서도 가산성 원리를 나타내기 위함이다. 이 논문은 III-V ternary 반도체의 Electro Negativity 값과 조성 범위(0<x<1)의 Band Energy Gap 값을 포함합니다.
이론적 영향
공식: 예=[28.8/(2(XM-XN)2)1/4*(1-f12/1+2*f12)]POWER (XM/XN)2
원소 반도체의 전기 음성도 값:
화합물 Al Ga As In P Sb N EN 값 1.5 1.8 2 1.7 2.1 1.9 3
AlxGa1-xSb III-V 삼항 반도체의 전기음성도 값
X값 0 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
1-x 값 1 0.9 0.85 0.8 0.75 0.7 0.65 0.6 0.55 0.5
화합물 AlxGa1-xSb
XM 값 1.8 1.767479 1.75144 1.735547 1.719797 1.70419 1.688726 1.673401 1.658215 1.643168
XN 값 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9
28.8/(2(XM-XN)2)1/4 28.75014 28.71249 28.69007 28.66534 28.63839 28.60929 28.57809 28.54488 28.50972 28.47268
알파엠 110.32 107.563 106.1845 104.806 103.4275 102.049 100.6705 99.292 97.9135 96.535
RO 가치 5.62 5.48 5.41 5.34 5.27 5.2 5.13 5.06 4.99 4.92
M-값 191.48 189.796 184.454 182.112 179.77 177.428 175.086 172.744 170.402 168.06
ALPHA-M*RO/M 3.237928 3.105678 3.114371 3.073186 3.032002 2.990818 2.949634 2.908451 2.867269 2.826087
합계 4*PI*N 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24
1-(4PIN/3)*ALPHAM*RO/M 8.16E+24 7.83E+24 7.85E+24 7.75E+24 7.65E+24 7.54E+24 7.44E+24 7.33E+24 7.23E+24 7.13 E+24
1+2*(4PIN/3)*ALPHAM*RO/M 1.63E+25 1.57E+25 1.57E+25 1.55E+25 1.53E+25 1.51E+25 1.49E+25 1.47E+25 1.45E+ 25 1.43E+25
1-파이12/1+파이12 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
28.8/(2(XM-XN)2)1/4*(1-파이12/1+2*파이12) 14.37507 14.35624 14.34503 14.33267 14.3192 14.30464 14.28905 14.27244 14.25486 14.23634
예 값 10.93863 10.02923 9.613679 9.221879 8.852244 8.503304 8.173698 7.862167 7.567542 7.28874
X 값 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9 0.95 1
1-x 값 0.45 0.4 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0
화합물 XM 값 1.628256 1.613481 1.598839 1.58433 1.569953 1.555706 1.541588 1.527599 1.513737 1.5
XN 값 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9
(2(XM-XN)2)1/4 1.012879 1.014327 1.015841 1.017418 1.019056 1.020754 1.02251 1.024323 1.026191 1.028114
28.8/(2(XM-XN)2)1/4 28.43381 28.3932 28.3509 28.30696 28.26146 28.21445 28.16599 28.11613 28.06494 28.01246
알파-M 107.6195 107.374 107.1285 106.883 106.6375 106.392 106.1465 105.901 105.6555 105.41
RO 가치 4.85 4.78 4.71 4.64 4.57 4.5 4.43 4.36 4.29 4.22
M-값 167.973 165.836 163.699 161.562 159.425 157.288 155.151 153.014 150.877 148.74
합계 4*PI*N 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24 7.56E+24
1+2*(4PIN/3)*ALPHAM*RO/M 1.57E+25 1.56E+25 1.55E+25 1.55E+25 1.54E+25 1.54E+25 1.53E+25 1.52E+25 1.52E+ 25 1.51E+25
1-파이12/1+파이12 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
28.8/(2(XM-XN)2)1/4*(1-파이12/1+2*파이12) 14.21691 14.1966 14.17545 14.15348 14.13073 14.10722 14.08299 14.05807 14.03247 14.00623
예 값 7.024758 6.774662 6.537587 6.312727 6.099336 5.896715 5.704218 5.521239 5.347217 5.181627
GaSb와 같은 Binary 반도체에 Al 성분을 도핑하고 do pant의 구성을 변경하면 실제로 Band Energy Gap이 낮아집니다.
앞으로의 계획
1) AlxGa1-xSb III-V 삼원계 반도체의 Electro Negativity 값과 Band Energy Gap 값의 현재 데이터 세트는 가장 최근에 개발된 방법을 포함하며 기본 세트는 계속되고 있습니다. 데이터는 또한 기존 이론의 문제점을 밝히기 위해 마이닝되고 있으며 향후 추가 연구가 수행되어야 하는 위치를 나타내는 데 사용됩니다. 2) 조사된 3원계 반도체 합금 시스템의 기술적 중요성은 반도체 장치 성능에 영향을 미치는 데 중요할 수 있으므로 필요한 합금 확장 현상을 이해합니다.
1) 이 논문은 장치 응용을 위한 3원 합금의 중요성에도 불구하고 이러한 현상과 관련된 물리학의 근본적인 이해를 얻을 수 있도록 이론적으로 다루어질 필요가 있습니다. 2) 구성 범위가 (0<x<1)인 AlxGa1-xSb III-V 삼원 반도체의 전기 음성도 값 및 밴드 에너지 갭에 대한 제한된 이론적 작업. 3) III-V Ternary Semiconductors의 Electro Negativity 값과 Band Energy Gap에 대한 결과는 실험 데이터와 합리적으로 일치하는 것으로 나타났습니다.
결과 및 논의:
삼원계 반도체의 Electro Negativity 값은 삼원계 반도체의 Band Energy Gap 및 굴절률 계산에 사용되며 Band Energy Gap은 반도체의 전기 전도에 사용됩니다. 이 현상은 Band Gap Engineering에서 사용됩니다.
감사의 말 –
참고문헌
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